娘子嫁错狼随着全球对智能手机、电脑、智能可穿戴设备等移动智能终端以及数据中心服务器的需求不断上升，全球存储器市场规模随之不断扩大。根据WSTS数据，2020-2022年全球存储器占集成电路市场规模的比例分别为32.5%、33.2%和28.0%；占半导体市场规模的26.7%、27.7%、23.2%。半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，半导体以及存储呈现出趋同的周期性，整体在波动中上升。根据WSTS预测数据，2023年，存储器市场规模将下降31.0%至896.01亿美元，但2024年将同比增长44.8%至1,297.68亿美元。长期来看，存储芯片市场规模有望在物联网、智能汽车、工业机器人、AI算力等因素驱动下持续增长。随着5G、AI、云服务等技术的高速发展，PC、手机、服务器、智能汽车等终端应用对存储性能、功耗优化、单位容量的需求持续增长，推动NAND Flash不断向高存储密度方向演进。在3D NAND分段堆栈以及CuA/PuC/Xtacking等架构的帮助下，NAND Flash存储密度和传输性能得到进一步提升，单位成本也不断得到优化。据CFM统计，在全球已量产的NAND Flash中，各大NAND原厂均已推出200层以上堆叠的 NAND Flash，下一代产品将向超过300层堆叠的方向进一步发展。随着技术不断迭代，NAND Flash工艺制程、堆叠层数和架构快速升级，技术难度越来越高，对存储控制技术和存储控制芯片设计能力也提出了更高的要求，驱动整个存储行业快速发展。我国存储芯片市场规模巨大，但自给率较低，仍有较大的提升空间。在新的全球局势下，保障国家重要领域的产业链安全，具有极其重要的战略意义。我国电信、政府部门、金融等重要领域的服务器和 PC产品数据安全性需要得到保障因此存储芯片具有国产替代的急迫性。同时，我国庞大内需、新兴应用及政策推动亦助力国产存储芯片快速发展。目前，在国家集成电路产业政策的推动下，我国NAND Flash存储晶圆的工艺制程和堆叠层数等技术方面取得关键突破，以长江存储为代表的存储晶圆原厂正缩小与国际领先的三星电子、美光、SK海力士等巨头的技术差距。长江存储经过多年的研发和设备投入，已于2019年突破了3D NAND技术并逐步开始量产，打破了长期由境外巨头垄断的市场格局。目前国内存储晶圆原厂、存储模组厂正与国内技术较为先进的存储控制芯片公司合作，致力于打造技术领先的存储器产品，营造存储产业生态，形成产业闭环，随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，国内下游存储模组及控制芯片厂商迎来重要发展机遇。根据CFM闪存市场数据，NAND Flash价格指数在2022、2023年上半年下跌调整后，走势逐步趋于平缓，并于2023年三季度逐步开始反弹。截至2024年1月2日，NAND Flash价格指数较2023年最低点上涨57.82%，较年初上涨13.83%。据分析机构CFM统计，三季度三星NAND Flash销售收入为29.60亿美元，环比增长7.5%；SK海力士（包括Solidigm）NAND Flash销售收入为18.84亿美元，环比增长13%；西部数据NAND Flash销售收入为15.56亿美元，环比增长13%。NAND芯片价格虽已止跌回升，但目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商的盈亏平衡点有一段差距。AI大模型正在加速数字文明边界拓展，大模型需求快速增长也导致了算力的紧缺。算力作为计算力、网络运载力、数据存储力于一体的新型生产力，社会各界重视程度不断提升，从年初至今，从国家到地方各种算力相关重磅措施、方案频出。2023年10月9日，工信部等六部门联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》，存储方面提出了发展量化指标，要求存储总量超过1800EB，先进存储容量占比达到30%以上，重点行业核心数据、重要数据灾备覆盖率达到100%，并强调“持续提升存储产业能力，鼓励存储产品制造企业持续提升关键存储部件等自主研发制造水平”，以加快存储国产化进程。AI大模型、卫星通信、车机互联新技术不断涌现，推动下游需求显现复苏迹象。手机方面，12月27日，中国信通院发布的报告显示，2023年11月，国内市场手机出货量3121.1万部，同比增长34.3%。根据IDC统计，2023年第四季度国内智能手机实际零售量已实现同比增长1.2%，结束了10个季度的下滑，首次实现反弹。企业级存储方面，IDC数据显示，中国全闪存市场2023年前三季度实现同比4.0%增长。随着人工智能、大数据等技术的应用，高性能、高IOPS等场景大量出现，以及节能减排的要求，像金融、制造等行业对于闪存需求持续旺盛。中国全闪存储市场份额占比约 22.9%,与全球发达市场接近50%的占比相比，未来依然有着巨大的空间。PC方面，IDC在最新报告中表示，随着社会逐渐恢复、经济活动逐步回归正轨，中国大陆PC市场也将回暖，2024年中国整体PC市场出货量有望同比增长3.8%。且IDC预计，2027年AIPC出货占比将达到85%。公司为一家专业从事集成电路设计、研发及产业化应用的国家高新技术企业。自设立以来，公司的主营业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发，存储模组产品应用方案的开发、优化，以及存储模组产品的销售。公司经过多年积累逐渐形成自主可控的主控芯片与固件方案两大核心技术平台，结合产品方案设计及量产工具开发、存储模组测试等形成完善的存储管理应用方案，高效实现对NAND Flash存储颗粒进行数据管理和应用性能提升。公司目前已经建立了完善的闪存存储产品矩阵，包括移动存储、固态硬盘、嵌入式存储，相关产品广泛应用于消费电子、工控设备、家用电器、汽车电子、智能家居、物联网、服务器及数据中心等领域。同时，公司通过聚焦应用场景，以全新品牌为智能显示、智能安防、车载应用、数据中心、网络通信、智慧医疗领域行业客户，提供完善的、高质量、高定制化的存储解决方案和存储产品。公司自主研发多款存储主控芯片，结合自研固件方案与量产工具，以存储模组形式为客户提供存储产品。公司目前已经建立了完善的闪存存储产品矩阵，具体包括移动存储、固态硬盘、嵌入式存储三大产品线。在消费级市场，公司通过自研主控、自建测试与生产线，形成具有较高性价比的标准化移动存储、固态硬盘存储产品；在商规级、工规级、车规级与企业级应用领域，公司聚焦场景需求，灵活、高效调整主控与固件方案，通过 UDStore行业存储产品线为客户提供以嵌入式产品为主的高品质、定制化的存储解决方案。公司的存储业务均系基于闪存技术的研发与应用，以闪存主控芯片的设计、研发为基础，结合主控芯片固件方案及量产工具开发、存储模组测试等形成完善的存储管理应用方案，公司目前研发量产了多款存储主控芯片，最终通过存储模组产品形式实现销售。存储卡是一种利用闪存技术存储数据信息的存储器，其尺寸小巧，外形多为卡片形式，主要应用于手机、GPS设备、数码相机、无人机、安防摄像头、智能音箱、电子游戏机等消费电子产品中作为存储介质。此外，公司进一步开发了工规级、商规级存储卡产品，及宽温和高耐久特性，可适用于车载监控、行车记录仪、中控导航、灾备盒、部标机等对产品稳定性要求较高的复杂环境。公司存储管理应用方案广泛支持三星电子、铠侠、西部数据/闪迪、海力士、长江存储等各家存储原厂的相关存储晶圆产品，并高效实现对NAND Flash存储颗粒的数据管理和应用性能提升，进一步扩展存储卡模组产品的兼容性、提高存储卡的读写速度、稳定性以及降低整机产品功耗等。存储盘（U盘）是一种通过USB接口进行数据传输，利用NAND Flash存储芯片进行存储的可移动数据存储装置，目前已经成为人们日常生活中最常用的移动存储介质之一。公司存储盘模组产品方案具有较好的性能和成本优势以及广泛地支持三星电子、铠侠、西部数据、海力士、长江存储等各家存储原厂的相关存储晶圆产品。固态硬盘使用固态存储芯片阵列制成，它的出现满足了大容量存储应用场景需求。固态硬盘主要包括 SSD（固态硬盘）、PSSD（移动固态硬盘）等产品形式，被广泛应用于PC、数据中心、人工智能、工控、安防、网络终端、医疗、航天、军工等诸多领域。公司目前拥有2.5 inch、M.2、mSATA三种形态的SSD系列产品，除SATA接口外，M.2覆盖SATA3、PCIe两种协议接口。产品采用原厂提供的优质NAND Flash资源，结合定制化高性能主控和自主固件，在保证兼容性和稳定性的同时，也可实现各类客制化需求。固态硬盘产品能够显著提升台式机、个人和商用电脑的性能，在企业级、服务器系统和数据中心等应用领域也有着优异表现。面对国产化趋势，公司将发挥本土优势，加快国产化平台认证导入进程，助力 SSD国产化进程。嵌入式存储广泛应用于智能终端，如智能手机、平板、智能电视、机顶盒等，近年随着智能网联汽车蓬勃发展，自动驾驶辅助系统（ADAS）、智能车载娱乐系统（IVI）、行车记录仪（DASH-CAM）等车用设备也成为嵌入式存储的主战场。公司目前嵌入式存储产品线已经布局车规、工规、商规，并开发了高耐久特性产品，面向差异化市场，采用包括 eMMC 5.1在内的主流协议标准，以丰富的闪存及主控方案搭配，深入应用场景以满足市场需求。另外，针对高速、大容量的应用，公司已规划UFS产品线TB，并积极进行产品验证和市场导入。公司同时也在积极推动自研嵌入式存储主控，助力嵌入式存储产品的国产化进程和自主可控水平，为我国的数据信息安全贡献力量。公司主要通过采购NAND Flash存储晶圆，将其与闪存主控芯片等进行封装、测试后形成存储模组，再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道分销商赚取利润。在存储模组中，NAND Flash存储晶圆的成本占比较高，存储晶圆的利用率水平对企业经营效益影响较大，而晶圆利用率水平的高低对与其匹配的闪存主控技术和固件方案提出了较高的要求。公司系中国大陆在NAND Flash领域同时掌握持续、稳定的存储晶圆采购资源和闪存主控芯片设计及芯片固件开发技术能力的少数芯片设计运营公司之一。产品设计与研发环节属于公司经营的核心流程，公司已形成规范化的研发流程和质量控制体系，并根据实际执行情况进行不断地完善和更新，全面覆盖产品项目可行性研究、评审、实施、产品流片到工程验证和质量验证以及量产等阶段，确保产品开发的全过程得到有效地监控并达到预期目标。公司始终以研发创新作为驱动企业发展的核心经营战略，自设立以来，持续将技术提升作为提高市场竞争力的重要因素，紧跟市场行业发展趋势，不断研发新技术、设计新产品。对于闪存主控芯片研发，公司持续投入资源创新改变，公司的研发根据新一代NAND Flash存储技术的演变状态及未来发展趋势评估，以更高性能、更低功耗、更先进的工艺制程以及更优越的兼容性和性价比作为芯片设计与研发目标，遵循科学技术的更新规律，以摩尔定律周期和行业发展趋势为基础，不断进行芯片产品迭代。公司芯片研发的具体过程包括项目启动阶段、项目计划阶段、项目实施阶段、工程和质量验证阶段，经过上述过程后，由市场部、研发部组织量产评审会议，再评估芯片产品竞争力、制造成本、经济效益、工厂产能等并决定产品量产计划。量产评审通过后，产品开始批量生产。公司存储模组管理方案是以NAND Flash晶圆资源的型号特点为基础，适配以闪存主控芯片为核心，并包括固件方案、量产工具等而形成系统解决方案。公司在存储模组管理方案的研发过程中，根据市场中NAND Flash晶圆资源的型号和数量情况并依据实验数据及拟使用闪存主控芯片性能特点，开发适配的固件调试方案和量产工具，以最优化条件适配 NAND Flash晶圆的产品性能，提升产品竞争力并同时达到高质量和低成本要求。公司存储模组管理方案开发的具体过程包括市场需求调研、资源整理与方案目标设立、方案开发、方案试样、监测、导入量产。公司采购的产品或服务主要包括NAND Flash存储晶圆产品、自研闪存主控芯片代工服务或闪存主控芯片产品采购、存储晶圆和存储模组封装、测试服务等。公司建立了较为严格的采购管理制度，确保对供应商管理有效性，具体各类产品或服务的采购情况如下：全球NAND Flash存储晶圆主要由三星电子（SAMSUNG）、海力士（SK Hynix）、美光（Micron）、西部数据/闪迪（SanDisk）和铠侠（KIOXIA）等存储原厂供应，根据CFM统计数据，上述传统境外存储原厂的供应规模占全球NAND Flash市场份额的约95%，形成寡头垄断市场，因此，公司主要从NAND Flash存储原厂直接采购或从其代理经销商渠道采购存储晶圆。公司存储模组使用的闪存主控芯片包括Fabless自研芯片代工生产和外部采购闪存主控芯片两种方式，公司外购闪存主控芯片为自研闪存主控芯片的有效补充。报告期内，公司持续开展以闪存主控芯片为核心的闪存控制管理技术的研发，其中，根据NAND Flash存储晶圆的技术架构和产品特点进行专业化的闪存主控芯片匹配，并形成系统配套的固件方案、调试算法等是存储管理方案的重要部分。公司存储模组产品部分工序通过委托加工方式生产，主要包括晶圆颗粒封装测试工序、存储模组封装测试工序、部分存储晶圆测试工序、以及少部分模组产品贴片集成和产品测试工序。具体产品与委托加工工序的对应关系见生产模式。公司主要采用Fabless模式进行生产，注重主控芯片设计能力和技术水平的提升。公司亦不断提高产线的自主可控水平，同时部分生产环节根据实际情况，委托给芯片代工企业、封装测试企业代工制造。在存储原厂生产晶圆（Wafer）的过程中，一方面由于晶圆生产工艺特点，另一方面由于新工艺制程或产品型号在投产早期生产尚不稳定，导致晶圆中不同区域的存储颗粒品质存在差异。为了达到经济效益最大化，存储原厂对于不同品质的存储颗粒存在分类销售的情况。为保证产品质量与经济效益，公司在存储模组生产前，需要对部分购买的晶圆进行拣选（下DIE），并对其中的低品级存储颗粒进行测试分类（测DIE）。在完成存储晶圆测试工序后，可初步确定存储晶圆的容量品质以及物理特性，并纳入晶圆半成品库管理，最终用于不同产品的生产。公司智能制造（福田）存储产品产业基地已经建立了 DIE芯片测试线，存储晶圆拣选、测试工序主要由自有产线完成，仅部分小批量存储晶圆测试进行委托加工。公司产品中涉及的封装测试主要为委托专业的封装测试厂商生产，根据不同产品的生产流程与工艺要求，选择合适的外协厂商。其中，晶圆颗粒封装测试即公司向外协封测厂提供 NAND Flash存储晶圆，由外协厂商将存储晶圆颗粒封装为TSOP或BGA形态的晶圆封装片半成品。封装完成后部分半成品需要进一步测试，除委外测试外，公司智能制造（福田）存储产品产业基地已经建立了测试生产线，实现对BGA封装片的自主测试。存储模组封装测试则一般由公司向外协封装厂商提供根据公司产品方案所需的存储晶圆及闪存主控芯片，由外协封装厂商配供 PCB和塑胶材料等辅助材料后封装成存储模组。此外，由于公司合作的主要外协封装厂商多为专业从事存储卡模组、存储盘模组、嵌入式存储等产品的封装测试生产厂，其一般会根据产能情况储备部分市场中主流型号闪存主控芯片，因此，公司也存在部分存储模组产品由外协封装厂商根据公司产品和固件方案按照公司要求配供市场主流闪存主控芯片的情形。贴片集成即将封装后的晶圆和主控芯片及其它贴片类电子元器件贴装到 PCB的对应位置，该工序存在于固态硬盘模组产品的生产过程中，公司目前SSD模组贴片生产工序主要由自有产线完成，仅部分小批量固态硬盘产品的贴片进行委托加工。该工序为存储模组产品开发的后端部分，通过高温老化测试等方式对存储模组产品的可靠性、稳定性等方面进行检验，公司目前该工序主要由自有产线完成，仅部分小批量存储模组及嵌入式存储的产品测试存在委托加工。对于外协厂商，公司制定了完善的委外管理制度，详细规定了委外管理的办法、制度和流程，对整个生产过程进行标准化、系统化、制度化管理，保证委外生产、制造环节能够规范、有效的进行，从而保证公司产品的质量。公司会综合考虑加工成本、加工品质、产能规模和交期速度等各项评估指标，选择境内外最为符合要求的供应商合作。根据行业特点和下游客户需求，公司销售主要采用“直销和渠道分销相结合”的销售模式。通过该种销售模式使公司更好地专注于产品的设计、研发环节，提高产业链的分工合作效率。在直销模式下，公司产品直接销售给终端客户或下游贴牌加工厂商，依靠对客户需求的快速响应能力和稳定可靠的产品质量，公司获得了较好的行业口碑及细分领域内较强的产品竞争力。公司存储模组产品已导入多家知名存储卡、存储盘或固态硬盘品牌商，并成功进入车载应用、平板电脑、智能手机等多个领域知名企业的供应链体系。同时公司自取得UDStore品牌后持续推动深度融合，充分整合了渠道资源、销售网络，逐步将自有品牌产品导入下游终端客户。在渠道分销模式下，公司通过渠道客户，向下游市场提供各类存储产品。公司已建立了成熟完善的渠道客户管理制度，通过比较信誉、资金实力、市场影响力、客户服务水平、行业背景、终端资源等因素，择优选择渠道客户。2023年，存储行业上游晶圆厂经历长期亏损后改变经营策略，放弃争夺市场占有率，以恢复盈利为首要目标，不断减产收紧供应，最终促使存储价格逐步确认反弹趋势。同时AI大模型涌现、新能源车智能化提速、卫星通讯等新技术刺激各应用领域需求回暖，车规级存储、AI 服务器等细分领域持续保持高景气度，消费电子、PC、可穿戴等领域在库存回补、技术迭代、产品存储扩容等因素刺激下呈现复苏迹象。报告期内，公司持续聚焦存储主业，加大研发投入，积极拓展客户渠道，提升战略储备，在行业拐点确立后取得了丰厚回报，全年业绩实现盈利。在搭载自研主控与固件方案的消费级移动存储与固态硬盘市场，公司加大研发与销售投入，推动自研主控开发与升级迭代，进一步提升直销比例与市场占有率，销售规模实现稳步增长；在移动存储、固态硬盘、嵌入式存储等应用领域，公司通过吸收引进成熟团队快速形成产品供应能力与定制服务开发能力，与合作方持续推进产品验证与导入工作，取得突破性进展；借助上市平台优势，公司持续加大研发投入与智能制造升级投入，报告期内新一代存储卡主控芯片及固态硬盘存储主控芯片已经完成回片验证，落地并启用了智能制造（福田）产业基地，进一步增加了公司竞争优势。报告期内，公司实现营业收入1,775,912,799.26元，同比变动幅度为 49.15%，公司持续加大技术研发和生产设备投入，受行业周期与存储行业产品价格波动等因素影响，报告期内，公司实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润14,936,707.92元，同比变动幅度为26.66%。2023年面对行业周期波动，公司坚持采取积极应对策略，持续聚焦存储主业，加大高端存储产品及细分领域存储产品开发，持续推动客户验证与海外渠道拓展工作，营收规模大幅增长。同时随着公司营收规模增长，及下游客户验证与渠道拓展工作顺利开展，公司结合实际经营需要，适时提升战略储备，以降低库存成本和应对未来市场变化。随着存储原厂涨价态度坚决，减产效益逐渐体现，NAND价格的变化逐步向下游传导，存储模组与存储产品出厂价格也逐步提升。根据CFM闪存市场数据，截至2024年1月2日，NAND Flash价格指数较2023年最低点上涨57.82%；同时，根据TrendForce预计2024年第一季DRAM和NAND闪存价格较2023年第四季上涨18%-23%。得益于战略储备充足，以及前期积极拓展终端客户和销售渠道，公司在价格反弹趋势确认后经营业绩全面提升，整体呈现量价齐升增长态势，且产品毛利率持续改善。公司以自研主控芯片为核心，主控芯片量产后导入公司模组产品，不断夯实公司模组产品的竞争力。2023年，公司自研SD6.0存储卡主控芯片、SATA SSD主控芯片完成回片认证。新一代SD6.0存储卡主控芯片主要基于40nm工艺，提升读写性能，基于multi-voltage多电源域的低功耗设计方法，采用业界领先的UBER 1e-15级别的4K LDPC纠错算法，采用软判决和硬判决相结合的先进方法，应对未来3-5年144/176层及200层以上需要高纠错能力的3D TLC/QLC闪存解决方案。公司SATA SSD主控芯片为国内率先采用RISC-V指令集打造的无缓存高性能控制芯片，采用目前业界领先的4KLDPC纠错技术，支持最新的ONFI5.0接口，可以灵活适配3D TLC/QLC等不同类型的闪存颗粒。公司正在推动两款主控芯片量产流片，未来配合量产工具即可快速导入公司移动存储模组产品中，有效提高公司模组产品的稳定性和成本优势。公司持续完善国内外销售网络体系，深耕原有客户和开拓新客户齐头并进。一方面，公司深耕原有客户，积极探索新业务机会，提高了部分客户的单客户价值量。报告期内，公司产品已导入多家知名存储卡、存储盘或固态硬盘品牌商，并成功进入车载应用、平板电脑、智能手机等多个领域知名企业的供应链体系。另一方面，公司就高端固态硬盘和嵌入式存储新产品线搭建销售团队，聚焦消费电子、汽车电子、服务器及数据中心等应用领域，大力开拓行业客户。另外，公司积极寻求海外市场的业务机会，进一步拓宽了公司产品的市场覆盖面。报告期内，公司与具有产业背景的合资方新设了华坤德凯和治洋存储等子公司，推动了公司行业市场和海外市场的业务开拓，具体应用领域包括PC OEM、手机、汽车电子、消费电子、智能家居、智慧终端等。目前，部分客户的验证和产品的导入已经取得初步成效。目前，公司已形成了完善的移动存储、固态硬盘、嵌入式存储三大产品线。公司在原有移动存储市场保持资源、技术优势的同时，向市场空间更广阔的固态硬盘、嵌入式存储市场快速发展，高端固态硬盘产品及嵌入式产品正在成为公司业绩新增长点。公司持续加大研发投入，积极引进高端研发技术人才，加快技术成果的转化，保障了公司持续的研发创新能力，巩固了公司产品的技术领先优势。报告期内，公司研发费用为108,013,431.85元，同比增加 41,085,227.46元，同比增幅达61.39%。公司募投项目进展顺利，研发中心建设已经建设完成，并不断推进主控芯片研发。公司于2022年7月在深交所主板成功上市，募集资金主要投入在3D NAND闪存主控芯片及移动存储模组解决方案技术改造及升级项目，SSD主控芯片技术开发、应用及产业化项目，研发中心建设项目，补充流动资金项目。截至报告期末，公司自研 SD6.0存储卡主控芯片、SATA SSD主控芯片通过回片验证，流片后配合量产工具即可快速导入公司移动存储模组产品中。公司另有多颗主控芯片立项，未来将加快芯片研发平台及固件研发平台的建设与完善，积极推动自研主控量产与导入。报告期内，公司持续推进智能制造项目，加快实现公司存储系列产品制造的信息化、自动化、专业化与流程化管理，全力打造全球存储行业先进制造竞争力。目前，公司智能制造（福田）存储产品产业基地已经完成竣工验收并正式启用，项目贯穿原材料检验、测试、SMT等多环节。为推动上市公司实现高质量、可持续地发展，完善的治理架构与优秀的各类人才是不可或缺的。报告期内，公司进一步完善治理架构，引进了一批经验丰富、专业程度过硬的高管团队与研发团队，以促进整合团队资源和公司的发展，全力推动战略计划的执行。此外，公司对现有业务部门重新整合，将原有的以产品线为核心业务架构，调整为匹配未来公司经营方向和规模的、更加综合的复合型架构。同时，为进一步提升团队的活力和员工的积极性，报告期内公司实施了限制性股票激励计划，激励对象基本覆盖公司高管、中层干部、研发人员、业务精英等核心人员。借助股权激励措施，员工与企业的利益将更为紧密地交织，共同分享企业成长与发展的成果，有利于公司核心人才队伍的培育与稳定，进而推动公司持续进步。未来，公司将持续完善治理架构，健全股东权益保障制度，为股东创造更大价值。根据CFM闪存市场数据，NAND Flash价格指数在2022年、2023年上半年下跌后，走势趋于平缓，并于2023年三季度开始反弹。截至2024年1月2日，NAND Flash价格指数较2023年最低点上涨57.82%，较年初上涨13.83%。报告期内，结合价格变动情况，公司适时提升战略储备，降低库存成本，应对未来市场变化。随着市场价格在2023年三季度以来开始回暖，公司综合毛利率也逐步得到修复，第一至第四季度综合毛利率分别为5.87%、-1.71%、5.90%、32.55%。公司持续加大研发投入，完善产品矩阵，完成市场空间更广阔的行业应用固态硬盘、嵌入式存储市场产品布局。目前公司已形成移动存储、固态硬盘和嵌入式存储三大产品线，覆盖主流闪存产品类型，品质分类不断丰富，并视场景需要开发了高耐久及宽温级特性产品。原厂明确加大减产力度后，存储价格经过长期磨底后确认反弹趋势，下游厂商前期存储芯片库存较少，受原材料价格上涨影响正积极建立库存。公司上市以来持续完善的产品矩阵，丰富了公司产品的应用场景，同时适时提升战略储备，为公司响应部分已有客户的多类型产品需求，以及拓展各下游应用领域的新客户，提供有力保障。公司持续聚焦存储主业，在补齐产品研发与布局、行业品牌后，加快向存储主赛道进军，积极推动客户验证，拓展销售渠道。报告期内公司持续推动各类存储模组在行业客户与终端品牌客户供应体系验证工作，并取得初步成效，部分行业级移动存储模组成功进入多家知名上市公司供应商体系，嵌入式存储产品收入相较2022年同比大幅增长。此外，公司积极拓展海外销售渠道，移动存储类产品及固态硬盘类产品收入实现稳步增长。公司高度重视自主创新，一直专注于集成电路的设计及商业化应用。自设立以来，公司主要聚焦于闪存主控芯片及存储卡、存储盘、固态硬盘等产品存储管理应用方案的研发、设计，公司研发团队主要人员均有超过十年的产业背景或集成电路研发经历，具备丰富的芯片设计研发经验。公司研发团队通过多年的技术积累和研发储备，形成了对海力士（SK Hynix）、西部数据（Western Digital）和三星（SAMSUNG）等原厂存储晶圆完善的控制管理优化方案与核心技术平台，具体包括了芯片开发平台、固件方案平台、量产优化平台。公司核心技术平台相互支持，共同迭代，加速技术积累，提高公司研发效率，降低研发风险和成本。公司基于芯片开发平台自研的纠错算法、低功耗技术等自主IP，结合加速接口协议等，满足新一代存储晶圆适配与客户定制化开发需求，为固件开发提供底层支持；基于固件方案平台进一步开发特定指令集、电源防护、数据防护等，灵活、快速地适配不同晶圆颗粒及特定使用场景，保证量产优化进度与可行性；基于量产优化平台构建完整供应链生态，高效反馈真实客户需求与生产工艺迭代及适配，为主控芯片研发提供必要方向指导。公司核心技术平台的构建帮助公司采用先进制程实现主控芯片的持续更新迭代，提高公司产品在存储晶圆利用率及足容率、产品稳定性、读写速度等竞争优势，确保自研主控芯片性能与存储产品保持行业先进水平。近年来，公司建立健全完善的研发体系，并逐渐形成了汇聚中国大陆、中国台湾地区、韩国、新加坡等多地区科研人才的国际化管理和研发队伍。凭借完善的技术储备和高端的研发人才团队，公司陆续研发推出了多款高传输率、高稳定性和高可塑性闪存主控芯片，截至报告期末，公司已获授权专利153项（其中发明专利51项），拥有集成电路布图设计专有权8项；拥有软件著作权84项（其中因触控资产剥离需交割转让给宏沛函的已授权发明专利25项，已授权实用新型专利39项，软件著作权 39项），公司技术研发成果在近年来呈现集中释放的趋势。因此，公司具有较强的技术研发优势，完善的研发体系、高素质的研发队伍及丰富的研发经验积累等为公司开拓市场、提升产品竞争力提供了坚实的基础。得益于研发体系与技术积累，公司具备了存储产品与主控芯片核心关键技术攻关能力。近年来，公司一方面不断完善存储产品矩阵，拓展固态硬盘与嵌入式存储产品线，并开发出性能与稳定性要求较高的工规级、车规级、企业级存储产品；另一方面努力向更高技术难度、更先进制程主控芯片研发发出挑战，完成移动存储主控芯片的多次迭代更新，完成固态硬盘SATA SSD主控芯片MPW回片验证，并积极推动PCIe、UFS、eMMC主控芯片研发。公司初创期即差异化地选择利用partial wafer制作存储产品，通过自研主控技术适配partial wafer晶圆的特点，形成有性价比和竞争力的产品。公司通过该种业务特点形成了相对高毛利率业务，平滑了行业下滑周期的业绩波动。从往期业绩来看，公司在行业周期下行情况下也有较好的盈利安全垫和抗风险能力。另外，公司技术平台的快速研发能力及优异的存储晶圆利用率，使得公司存储产品在同一容量、读写速度等参数要求下具有较强的市场竞争力，随着公司智能制造存储产品产业基地的落地启用，未来公司的生产成本有望进一步下降，从而进一步提升公司的竞争能力。公司深耕存储行业，通过与产业链企业协同、分工、合作，公司深度优化整合行业生态系统内的市场资源和技术资源，并逐步形成了“晶圆资源整合、主控芯片设计、固件方案开发、存储模组销售”等覆盖完善产业链条的芯片设计与运营模式。在此基础上，公司布局了完整的闪存存储产品矩阵，并根据产品特性，通过自研主控或降低成本，或提升性能，灵活搭配固件方案，最大化体现公司技术方案的价值，提高存储晶圆利用率。5.稳定的存储晶圆采购资源，长期的外协加工封测合作，提供产能供给保护罩公司系中国大陆在NAND Flash领域同时掌握持续、稳定的存储晶圆采购资源和主控芯片设计及芯片固件开发技术能力的少数芯片设计运营公司之一。由于全球NAND Flash存储晶圆主要由存储原厂供应，主要存储原厂的供应规模占全球市场份额的99%以上，形成寡头垄断市场，因此，存储原厂的采购渠道对行业的生态分布和行业内公司的发展有着重要的影响。公司通过多年存储领域的经营和资源积累，形成了稳定的NAND Flash采购渠道，与海力士（SK Hynix）、西部数据（Western Digital）等存储原厂的主要经销商建立了长期战略合作关系，且随着公司经营规模的发展壮大，公司的市场竞争力不断增强，公司在中国大陆、中国台湾地区和中国香港地区的影响力也逐渐得到了存储原厂的认可；此外，我国的长江存储（YMTC）经过多年的研发和设备投入，已逐步开始量产并向市场供应NAND Flash芯片产品，从根本上打破了NAND Flash芯片长期由境外厂商垄断的市场格局，公司于2020年11月成为长江存储（YMTC）Xtacking 3D NAND金牌生态合作伙伴，并开始批量采购和产品验证，有望尽快实现移动存储产品从晶圆到闪存主控芯片的 100%国产化大规模替代。公司在采购渠道方面的优势不断强化，为公司经营规模进一步扩大提供了保障。公司通过多年的经营形成了完善的供应链体系。公司与中芯国际（SMIC）、台湾联电（UMC）等全球顶级芯片代工制造商及国内外领先的存储模组封装及测试厂商等形成了紧密的合作关系。同时，随着经营规模的快速增长，公司已成为各上游外协厂商的重要客户，有效稳定了公司的产能供给，降低行业产能波动对公司产品产量及供货周期的影响，有效保障了公司的生产计划落地和市场销售预测实现，为公司做大做强提供了稳定的供应链保障。公司始终坚持通过“以技术带动盈利，以资金驱动规模”实现业务扩张。在芯片方面，公司目标到2025年，实现全闪存类型主流主控芯片全覆盖。在产品方面，公司始终坚持以自主创新为驱动，以自研芯片为产品基础，以存储产品为业务主力，通过自研主控芯片+固件方案夯实产品竞争力。公司将有计划、有步骤地实现从移动存储市场向手机智能终端市场、PC及其他电子终端市场、汽车电子市场、服务器和数据中心云存储等嵌入式存储市场以及高端固态硬盘市场的升级发展，并以数据存储业务为基础，积极储备及布局新一代信息技术产业，立志成为具有国际影响力的芯片研发及产品应用方案提供商。公司持续按照原厂NANDFlash技术的中长期迭代演变规划进行同步的研发布局，在主控芯片量产后导入模组产品，提高产品核心优势。公司在进行研发方案规划时，充分沟通并考虑存储原厂未来几年的技术路径，以提高公司主控芯片对未来存储晶圆的适配性。公司已经实现了移动存储主控芯片的量产与持续迭代升级，并成功导入公司模组产品中。报告期内，公司完成了新一代SD存储卡主控芯片与SATA固态硬盘主控芯片的前期研发工作并通过了MPW回片验证，预计将于2024年完成流片和量产；公司正在积极推动PCIeSSD和嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化，并以此为主要募投项目发布了2023年度向特定对象发行股票预案。未来，公司将加速推动产品与技术向高性能与先进制程主控芯片领域的创新升级进程。公司始终将客户需求放在首位，积极投入模组研发工作，以满足客户在不同应用场景下的特殊要求。公司针对不同客户和市场应用场景，自主开发高性能、稳定可靠的主控芯片，满足客户在高速度、低功耗、大容量等方面的个性化需求，提升产品竞争力。公司不断提升自主固件的开发水平，通过对软件算法的优化和升级，为客户量身定制适合其特定应用需求的解决方案，如可定制的数据保护、数据缩减、存储管理和数据安全等功能。公司将持续关注市场动态，积极参与各种行业交流活动，了解最新技术发展趋势和客户需求，充分利用内部技术资源，以及与产业链上下游企业的合作机会，实现技术的快速迭代和产品的创新，为客户提供更优质、更个性化的存储解决方案，进一步巩固市场地位。公司高度重视自主创新，一直专注于集成电路的设计及商业化应用。公司将继续围绕自身主营业务及前期积累的技术优势，进一步加大研发力度，储备更多的核心技术。公司将不断挖掘前沿技术和行业趋势，积极与全球顶尖企业、高校和研究机构建立合作关系，共同研究和开发创新性技术，不断提高自身的技术领先地位，为行业发展注入新动力300152）。在人才建设方面，公司将扩大研发团队规模，在吸纳部分顶尖人才的同时配备不同层次的研发人员，进一步提升公司的创新能力和技术水平，以确保各项技术升级和产品研发目标的实现。此外，公司将继续完善人才激励机制，吸纳更多优秀的人才为公司长期服务，并进一步提升和巩固涵盖国内和国际多地区、多领域科研人才的国际化研发队伍，以国际化视野建设并不断完善研发体系，形成较为丰硕的研发成果。自2022年7月1日在深圳证券交易所上市以来，公司持续聚焦存储主业，加快向存储主赛道进军，通过内生式的增长与外延式发展，积极进行资源整合，加大研发与创新投入，实现综合竞争力的提升。公司将在原消费级移动存储、固态硬盘市场持续深耕，进一步加大市场开拓力度，在巩固国内市场的同时，挖潜海外市场空间，借助公司的产品和经验优势，完善全球化的市场布局；同时，公司将聚焦行业客户场景需求，持续加大研发投入，开发各类高端存储模组产品，积极推动客户验证；此外，公司正加快企业级存储市场布局，目前已经完成企业级SSD核心团队组建，相关成员拥有业内知名企业关键岗位从业经验，并积极推进企业级SSD产品研发与量产。随着经营规模不断增长，产品结构不断改善，为保证公司高质量发展需要不断提升产业链深入合作程度与供应安全保障，公司计划从实际经营需要出发，深化产业链合作关系，积极拓展优质的潜在合作方。在原厂资源方面，公司将通过商业与技术合作持续深化海力士、长江存储、闪迪、三星等存储原厂合作，并视战略需求引入更多原厂资源；在代工与封装测试方面，公司将积极推动具备高端芯片与产品制造能力厂商资源拓展，持续培育与引进工艺成熟的国内厂商，提升产品测试关键环节的自主可控与智能化制造。此外，公司将持续推动新引入业务团队的深度融合，加快渠道资源、方案经验、销售网络等的协同整合，实现产业链快速升级。公司智能制造（福田）存储产品产业基地项目利用中厨大厦改造装修建设产线，在公司现有存储产品线的基础上进行扩产与智能化升级，以扩大公司生产经营规模，提升公司存储产品先进制造水平，提高公司在存储行业的领先地位。当前项目已落地并启用，贯穿原材料检验、测试、SMT等多环节，公司将持续深化智能制造能力，加快实现存储系列产品制造的信息化、自动化、专业化与流程化管理。公司通过推进落实存储智能制造项目，将提升存储产品的制造产能、交付效率、产品性能和质量水平，进一步巩固公司的核心竞争力和先进制造力，有利于公司贯彻更高要求的质量标准，有助于公司未来拓展对产品质量要求更高的行业渠道与终端客户。随着宏观经济形势的变化，存储产品下游应用领域的市场景气度可能存在波动。公司产品销售包括内销和外销，外销客户主要通过中国香港地区的物流、贸易平台辐射、服务全球消费者。在国际贸易摩擦、经贸对抗的宏观环境下，全球经济发展面临新的不确定性，宏观经济环境的恶化将会使下游客户的需求下降，影响存储行业的市场空间，进而对公司的经营业绩带来不利影响。公司目前已经建立了完善的闪存存储产品矩阵，包括移动存储、固态硬盘、嵌入式存储。随着社会经济数字化的不断发展，对数据存储要求越来越高，存储模组产品在消费电子、数据中心、服务器、智能汽车、人工智能等领域中应用广泛。受全球通胀、俄乌冲突等不确定因素影响，包括消费类电子在内的存储下游市场可能存在需求减弱，周期复苏不及预期等风险，进而对公司业绩成长带来不利影响。公司产品主要为NANDFlash存储模组，产成品的成本构成中NANDFlash存储晶圆的占比较高，全球NANDFlash存储晶圆供货商只有三星电子、海力士、美光、西部数据、闪迪和铠侠等少数大型企业，NANDFlash市场呈现寡头垄断特征，货源供应受上述存储原厂的产能情况和其执行的市场销售政策影响较大。在国家产业资金和政策层面的高度支持下，国内逐步成长出以长江存储为代表的国产存储器芯片生产厂商，但如果在未来的业务发展过程中，由于地缘政治或其他原因，公司不能获取持续、稳定的NANDFlash存储晶圆供应，将会对公司的生产经营造成不利影响。同时，随着NANDFlash工艺技术的不断进步、新技术、新工艺产线的陆续投产、社会科技进步、电子产品数字化、智能化的快速发展，市场中存储当量的供给和需求都在快速增长，存储晶圆价格可能因上下游技术进步及存储原厂产能扩张计划等变化发生短期的供给过剩或不足。若未来NANDFlash存储晶圆价格大幅波动，将导致存储产品的利润率出现大幅波动，甚至可能需对公司存货等资产计提大额跌价准备，从而大幅减少公司盈利，在极端情况下将有可能导致公司营业利润出现下滑，甚至出现亏损。公司所处存储行业技术升级和产品更新换代速度较快，并且上游存储原厂和下游存储应用需求的发展一直在不断升级丰富，且存储主控芯片设计及固件方案主要以适配NANDFlash存储颗粒的产品架构、技术参数等为核心。因此，公司需要正确判断行业技术发展趋势，并结合NANDFlash存储颗粒的技术发展方向和新工艺推出节奏，对现有主控芯片设计及相应方案进行升级换代。本次发行募投项目亦涉及固态硬盘、嵌入式等产品的主控芯片研发，是公司提升技术水平、扩大产品链覆盖和产品竞争力的重要举措。未来若公司的技术升级以及产品迭代进度和成果未达预期，或募投项目涉及的主控芯片研发失败，致使技术水平落后于行业升级换代水平或不能跟随NANDFlash的技术发展节奏，将影响公司产品竞争力并错失市场发展机会，对公司的竞争力和持续盈利能力造成不利影响。长期以来，公司持续的产品研发与技术创新为公司积累了丰富的技术成果。除部分知识产权已通过申请专利、软件著作权及集成电路布图设计专有权等方式进行保护外，另有多项自主研发的技术成果以技术秘密、非专利技术的形式保有。虽然公司采取了多种措施对核心技术和知识产权进行了保护，仍可能出现如核心技术相关内控制度未得到有效执行、相关人员泄密、出现重大疏忽、恶意串通舞弊等情况。若未来出现未申请知识产权保护的核心技术大量泄密的情况，将可能使公司丧失技术竞争优势，对公司持续盈利能力造成不利影响。公司所处行业随着原材料晶圆价格的变动，具有一定的周期性，且波动较大。报告期内，公司实现营业收入1,775,912,799.26元，归属于上市公司股东的净利润24,998,465.34元。若未来出现宏观经济不景气、市场竞争加剧、市场价格下降、原材料供应短缺、贸易摩擦加剧、委外加工风险或海外经营合规风险等，公司业绩存在进一步下滑的风险。同时，半导体行业晶圆制造环节的产能扩充呈现周期性变化特征，通常下游需求变化速度较快，而上游产能的增减则需要更长的时间。因此，半导体行业供应端产能增长无法完美匹配半导体行业需求端的变化，导致行业会出现供需关系周期性的变化，也会带来行业价格和利润率的变化。此外，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，下游市场需求的波动和低迷亦会导致半导体产品的需求下降，可能对公司的经营业绩造成一定的影响。报告期末，公司存货账面价值为1,932,009,606.99元，主要由原材料、在产品、库存商品、发出商品、委托加工物资和半成品构成。报告期末，公司存货跌价准备余额为26,280,010.47元。未来若出现市场需求环境变化、原材料价格出现波动、市场竞争加剧导致毛利率下跌等情况，公司将面临存货跌价损失的风险，从而对公司经营成果和财务状况产生不利影响。报告期末，公司应收账款账面价值为422,644,058.20元，未来若行业环境发生重大不利变化或公司客户自身经营情况恶化，可能导致公司无法按期、足额收回货款，将对公司的经营业绩带来重大不利影响。报告期末，公司预付款项账面价值分别为106,392,757.82元，若公司向供应商预付货款后对方自身经营状况恶化，导致其无法正常履约，则公司可能会面临货物难以取得的风险。报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额为-1,015,413,532.56元，归属于上市公司股东的净利润为24,998,465.34元。公司经营活动产生的现金流量净额自2022年以来快速下降，主要系公司在行业下行周期进行战略性备货策略，同时随着经营规模快速扩大，经营性应收项目有所增加所致。未来，若公司不能及时回笼资金、获取外部融资，现金流量净额持续为负，则公司可能面临一定的流动性风险，给公司生产经营带来不利影响。

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